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J-GLOBAL ID：201902216622866396   整理番号：19A0900829

中赤外自由電子レーザによるレジスト-高分子アブレーション【JST・京大機械翻訳】

Resist-polymer ablation by mid-infrared-free-electron laser

著者 (5件)： Toriumi Minoru (Tokyo Univ. of Science (Japan)) ,  Kawasaki Takayasu (Tokyo Univ. of Science (Japan)) ,  Araki Mitsunori (Tokyo Univ. of Science (Japan)) ,  Imai Takayuki (Tokyo Univ. of Science (Japan)) ,  Tsukiyama Koichi (Tokyo Univ. of Science (Japan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10586  ページ： 1058613-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(4-ヒドロキシスチレン)(PHOST)膜のレーザアブレーションを中赤外自由電子レーザ(中間IR FEL)を用いて研究し,その照射波長を中間赤外スペクトル領域におけるPHOSTの振動吸収ピークに同調させた。PHOST膜は中間IR FEL光によりアブレーションされ,光化学アブレーションを示唆するPHOST膜中に明確な正孔を生成した。シリコンアブレーションのしきい値エネルギーがPHOSTのそれよりも大きいので,シリコン基板への損傷なしにPHOST膜をアブレーションすることができた。シリコンに対するPHOSTのアブレーション閾値エネルギー比は0.2以下で,中間FEL波長に依存した。PHOST膜のアブレーション閾値も膜厚に依存した。中間IR FELによる高効率アブレーションは,PHOSTのC-O伸縮とC-O-H曲げの振動励起に起因することが分かった。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 波長 ,  *高分子 ,  振動励起 ,  *レジスト ,  防振 ,  赤外スペクトル ,  正孔 ,  膜厚 ,  ケイ素 ,  レーザアブレーション ,  光化学 ,  *アブレーション
準シソーラス用語： 高効率 ,  シリコンウエハ ,  赤外自由電子レーザ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 赤外自由電子レーザ ,  レジスト ,  高分子 ,  アブレーション