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J-GLOBAL ID：201902216763132813   整理番号：19S0075242

Low temperature formation of SiO2 thin films by nitric acid oxidation of Si (NAOS) and application to thin film transistor (TFT)

著者 (8件)： Matsumoto, T. (ISIR, Osaka University, CREST) ,  Asuha (ISIR, Osaka University, CREST) ,  Asuha (Chemistry and Environment Science College, Inner Mongolia Normal University) ,  Kim, W. B. (ISIR, Osaka University, CREST) ,  Yamada, M. (ISIR, Osaka University, CREST) ,  Terakawa, S. (ISIR, Osaka University, CREST) ,  Kobayashi, H. (ISIR, Osaka University, CREST) ,  Imai, S. (Display Technology Development Group, Sharp Corporation)
資料名： Microelectronic Engineering
巻： 86  号： 7-9  ページ： 1939-1941  発行年： 2009年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENE 
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiO2 ,  Si ,  TFT