ハロゲン化物ペロブスカイト  それは界面についてすべてか【JST・京大機械翻訳】

Schulz Philip; Schulz Philip; Schulz Philip; Cahen David; Kahn Antoine

文献

J-GLOBAL ID：201902217014783536 整理番号：19A2294998

ハロゲン化物ペロブスカイトそれは界面についてすべてか【JST・京大機械翻訳】

Halide Perovskites: Is It All about the Interfaces?

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資料名：
巻： 119 号： 5 ページ： 3349-3417 発行年： 2019年
JST資料番号： B0256A ISSN： 0009-2665 CODEN： CHREAY 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体デバイスにとって常に重要な問題である界面の設計と改良は,光起電力と発光ダイオードを含むハロゲン化物ペロブスカイト(HaP)ベースのオプトエレクトロニクスの完全な可能性を利用するための主要なツールになっている。特に,HaP太陽電池性能と安定性の顕著な改善は,主に層スタックにおける界面配置の注意深い選択に起因する。このレビューでは,これらのアプローチ(セクション1)のユニークな挑戦と機会を記述する。この目的のために,表面終端,表面反応性,および電子構造(セクション2)のような話題を含む露出HaP薄膜および結晶表面の基本的な物理的および化学的性質を初めて明らかにした。これはHaPと輸送とバッファ層の間の界面におけるエネルギー整列過程に関する実験結果を議論することによって追跡した。このセクションは,一般的に提案されているモデル,特に真空レベルのアラインメント,界面双極子の重要性,および界面形成(セクション3)の結果としてのバンド曲がりの重要性について,一般的に提案されている応用モデルを含んでいる。界面エネルギーと安定性に及ぼす化学反応と表面不動態化のような効果を考慮して,素子性能に及ぼす界面形成の影響を詳しく調べた。これらの概念に基づいて,HaP半導体(セクション4)のための界面設計における次のステップに対するロードマップを提案し,界面エネルギー論と化学(すなわち反応性)に対する制御を達成することの重要性を強調し,調整された界面最適化のための予測力を可能にした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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界面化学一般 , 液-気界面

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