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J-GLOBAL ID：201902217016004070   整理番号：19A0189820

単一トランジスタに基づく高密度SOT-MRAMメモリアレイ【JST・京大機械翻訳】

High density SOT-MRAM memory array based on a single transistor

著者 (4件)： Alhalabi Rana (CEA LETI, Grenoble, 38054, France) ,  Nowak Etienne (CEA LETI, Grenoble, 38054, France) ,  Prejbeanu Ioan-lucian (Univ. Grenoble Alpes, CEA, CNRS, Grenoble, F-38000, France) ,  Pendina Gregory Di (Univ. Grenoble Alpes, CEA, CNRS, Grenoble, F-38000, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： NVMTS  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン軌道トルク磁気RAM(SOT-MRAM)アプローチは,読み取りと書込み経路を分離することにより,Spin Transfer Torque(ST)メモリ制限を克服する新しい方法を示す。ビットセル当たり2個のトランジスタのため,非常に高い密度を必要としない高速応用にとって特に興味深い。本論文は,単一トランジスタと一方向ダイオードに基づく高密度SOTMRAMメモリアレイを提示した。このアプローチの3つの利点がある。32kbメモリアレイに対するトランジスタ数は45%減少し,従来のSOTビットセルに比べて20%改善されたセル密度をもたらした。さらに,操作を読み出すための制御が少なく,最終的に高い耐久性,高速,高密度を達成できる。重要な挑戦課題は,センスマージンと読出しエネルギーの間を調整することである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁気 ,  ダイオード ,  *記憶装置 ,  高速度 ,  *トランジスタ ,  耐久性
準シソーラス用語： 読出し ,  セル密度 ,  スピン-軌道トルク ,  *メモリアレイ ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： トランジスタ ,  MRAM ,  メモリアレイ