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J-GLOBAL ID:201902217132550082   整理番号:19A1053521

太陽水分解応用のためのp型In高on GaAsの光電気化学的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Photoelectrochemical Characterization of p-type InAlP on GaAs for Solar Water Splitting Application
著者 (7件):
資料名:
巻: 74  号:ページ: 116-121  発行年: 2019年 
JST資料番号: T0357A  ISSN: 0374-4884  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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GaAs上に成長させたp-InAlPの光電気化学特性を研究し,太陽水分解における光電陰極としての材料の将来の可能性を利用した。フラットバンド電位を測定し,電気化学インピーダンス分光法を行い,電荷輸送解析に適合する等価回路モデルと回路要素を提案した。低い光触媒活性は水酸化還元レベルによるバンド配列に起因した。InAlPの価電子バンドは水酸化レベルに近いので,それは対向電極への非効率的正孔輸送と光陰極における正孔の蓄積を引き起こす。Copyright 2019 The Korean Physical Society Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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