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J-GLOBAL ID:201902217407909120   整理番号:19A1887666

自己集合ヘテロエピタキシャルAuNPS/SrTiO_3:可視光駆動光触媒のためのSrTiO_3バンドギャップ調整に及ぼすAuNPサイズの影響【JST・京大機械翻訳】

Self-Assembled Heteroepitaxial AuNPs/SrTiO3: Influence of AuNPs Size on SrTiO3 Band Gap Tuning for Visible Light-Driven Photocatalyst
著者 (9件):
資料名:
巻: 121  号: 25  ページ: 13487-13495  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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自己集合ヘテロエピタキシャルは,貴金属-半導体界面における光学的および電荷輸送特性を調整する大きな機会を提供する。ここでは,半導体チタン酸ストロンチウム,SrTiO_3(STO)の{001}ファセット上に金ナノ粒子(AuNP)をヘテロエピタキシャル法により取り込み,バンドギャップ調整と光応答の効果を調べた。この系のFermiエネルギー準位はAuNPサイズを制御することにより調整できることを実証した。X線光電子分光法(XPS)により,AuNPs/STO(100)ヘテロ接合で測定したSr_3dとAu_4fコアレベル間のエネルギー差は,AuNPsサイズが65から16nmに減少すると,47.90から49.26eVに増加することを示した。したがって,Fermiエネルギー準位はSTO(100)の伝導帯に向かってシフトし,システム電荷移動効率は改善された。また,より小さいAuNPサイズは,バンドギャップ狭まり効果の結果としてより高い光活性を示すことが分かった。光活性は可視光領域への触媒吸収スペクトルの広がりにより改善された。本研究は,可視光エネルギー変換のための金属-半導体ヘテロ構造の光電気化学の基礎的理解を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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