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J-GLOBAL ID：201902217423412377   整理番号：19A1887307

デバイス場強度での導電性高分子におけるポーラロンの破壊【JST・京大機械翻訳】

Breakdown of Polarons in Conducting Polymers at Device Field Strengths

著者 (5件)： Mahani M. R. (Department of Applied Physics, School of Engineering Sciences, KTH Royal Institute of Technology, Sweden) ,  Mirsakiyeva A. (Department of Applied Physics, School of Engineering Sciences, KTH Royal Institute of Technology, Sweden) ,  Delin Anna (Department of Applied Physics, School of Engineering Sciences, KTH Royal Institute of Technology, Sweden) ,  Delin Anna (Department of Physics and Astronomy, Materials Theory Division, Uppsala University, Sweden) ,  Delin Anna (Swedish e-Science Research Center (SeRC), KTH Royal Institute of Technology, Sweden)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 19  ページ： 10317-10324  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電性高分子は多くの電子デバイスで用いられる標準的なエンジニアリング材料になっている。これにもかかわらず,伝導特性の微視的起源,特に現実的なデバイス場強度の理解が不足している。相因子のPeierls置換による時間依存ベクトルポテンシャルを通してハミルトニアンに含まれる電場を用いて,Su-Schrieffer-Heeger(SSH)強束縛モデルを用いてドープしたポリ(p-フェニレン)(PPP)のシミュレーションを示した。著者らは,電場が約1.6mV/Åの低い電場に対して既にスイッチされた後に,ポーラロンがピコ秒以下で典型的に破壊されることを見出した。これは多くの柔軟な有機電子デバイスにおいて一般的な電界強度である。著者らの結果は,広範囲の応用のための導電性高分子における電荷キャリアとしてのポーラロンの関連性に挑戦する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ポーラロン ,  ベクトルポテンシャル ,  ドーピング ,  *導電性高分子 ,  電界強度 ,  ピコ秒 ,  時間依存性 ,  ハミルトニアン ,  電場
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  有機電子デバイス ,  強束縛モデル ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 導電性高分子 ,  ポーラロン ,  破壊