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J-GLOBAL ID：201902217615275055   整理番号：19A0912658

中間IR領域におけるハイブリッドGe_2Sb_2Te_5-シリコン導波路を用いたフォトニックスイッチの設計とシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Design and simulations of photonic switch using hybrid Ge₂Sb₂Te₅-silicon waveguides in mid-IR region

著者 (2件)： Ali Nadir (Indian Institute of Technology Roorkee (India)) ,  Kumar Rajesh (Indian Institute of Technology Roorkee (India))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11048  ページ： 1104836-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光通信の新しい窓は約2μmで出現している。スイッチングとルーティングの機能性を提供することにより,このスペクトル領域における光通信を支援できるフォトニック素子と部品を設計し,実験的に実証することが重要である。フォトニックデバイスと部品を実現するためのシリコンフォトニクスプラットフォームは,コスト効果が高く,高収率CMOS製造技術の利用可能性により,1310nmと1550nmの他の光通信ウィンドウのように,約2μmで優先される。自然に不揮発性で,より少ない電力を消費するフォトニックスイッチは,2μm周辺の将来の光通信に対して大きな需要がある可能性がある。ここでは,シリコン-オン-絶縁体プラットフォームに埋め込まれた不揮発性相変化材料Ge_2Sb_2Te_5を用いて,2.1μmで動作する超小型1×1フォトニックスイッチを報告した。シリコン-オン-絶縁体導波路におけるGe_2Sb_2Te_5の埋め込みを,スイッチング性能を評価して比較するために,2つの異なる方法で行った。部分的に完全にエッチングしたシリコン導波路におけるGe_2Sb_2Te_5の位置と寸法の最適化に重点を置いた。部分的にエッチしたシリコン導波路に埋め込まれた体積920nm×240nm×800nm(長さ×高さ×幅)のGe_2Sb_2Te_5を用いて,ON状態での0.49dBの低挿入損失を有する34.04dBの消光比を得た。Ge_2Sb_2Te_5が完全にエッチングされたシリコン導波路に埋め込まれるとき,体積1020nm×240nm×800nmのGe_2Sb_2Te_5による1.36dBの挿入損失を犠牲にして,最大消光比は14dBである。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力 ,  スペクトル ,  光通信 ,  スイッチング ,  最適化 ,  挿入損 ,  経路選定 ,  *ケイ素 ,  絶縁体 ,  消光比 ,  非揮発性 ,  *光スイッチ ,  *導波路
準シソーラス用語： 超小型 ,  シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ir ,  シリコン ,  導波路 ,  フォトニックスイッチ ,  設計 ,  シミュレーション