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J-GLOBAL ID：201902217729734177   整理番号：19S0479101

Formation of GaN-porous structures using photo-assisted electrochemical process in back-side illumination mode

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著者 (4件)：
Watanabe, Akio

Watanabe, Akio について

(Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University)

Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University について

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Kumazaki, Yusuke

Kumazaki, Yusuke について

(Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University)

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Yatabe, Zenji

Yatabe, Zenji について

(Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University)

Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University について

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Sato, Taketomo

Sato, Taketomo について

(Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University)

Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University について


資料名：
ECS Electrochemistry Letters

ECS Electrochemistry Letters について


巻： 4  号： 5  ページ： H11-H13  発行年： 2015年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 2162-8726 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)

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