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J-GLOBAL ID：201902217739130995   整理番号：19A0511936

厚いYBa2Cu3O7-δ膜におけるBaHfO3の取り込みに及ぼす基板傾斜角の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Substrate Tilt Angle on the Incorporation of BaHfO3 in Thick YBa2Cu 3O7-δ Films

著者 (12件)： Sieger Max (IFW Dresden, Dresden, Germany) ,  Pahlke Patrick (IFW Dresden, Dresden, Germany) ,  Ottolinger Rick (IFW Dresden, Dresden, Germany) ,  Stafford Benjamin Hamilton (THEVA Duennschichttechnik GmbH, IFW Dresden, Ismaning, Dresden, GermanyGermany) ,  Lao Mayraluna (Atominstitut, TU Wien, Vienna, Austria) ,  Meledin Alexander (Electron Microscopy for Materials Science (EMAT), University of Antwerp, Antwerp, Belgium) ,  Bauer Markus (THEVA Duennschichttechnik GmbH, Ismaning, Germany) ,  Eisterer Michael (Atominstitut, TU Wien, Vienna, Austria) ,  Van Tendeloo Gustaaf (Electron Microscopy for Materials Science (EMAT), University of Antwerp, Antwerp, Belgium) ,  Schultz Ludwig (IFW Dresden, Dresden, Germany) ,  Nielsch Kornelius (IFW Dresden, Dresden, Germany) ,  Huhne Ruben (IFW Dresden, Dresden, Germany)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.7500504.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い臨界電流密度は,YBa_2Cu_3O_7-δ(YBCO)のような高温超伝導体において,二次相の密度,形状,サイズ,および方向を制御することによって実現することができる。成長速度と堆積温度への依存性は,ピン止め景観のナノエンジニアリングに対する重要なパラメータとして広く研究されているが,基板表面の隣接傾斜は付加的な影響を持つ可能性がある。従って,BHOの成長モードに及ぼす傾斜の影響を同定するために,0°と40°の間の傾斜角αをもつSrTiO_3(STO)基板上に6mol%BaHfO_3(BHO)ドープYBCOを堆積した。超伝導体の不撹乱エピタキシャル成長とYBCOマトリックス中のBHO相のエピタキシャル集積を調べた全ての微傾斜角に対して観測した。臨界温度はα=20°まで一定であるが,77Kでの自己場臨界電流密度は10°以上で減少し始める。膜断面積の詳細な構造解析は,BHOの成長モードが,純粋なc軸配向成長からYBCOab面に平行に整列したBHOを持つ層状構造への2°の隣接傾斜に対して既に変化することを示した。傾斜基板堆積により作製したMgOベース被覆導体上と同様にSTO基板上のBHOドープYBCO膜における電流に及ぼすこのような微細構造の強い影響を同定した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 断面積 ,  成長速度 ,  ドーピング ,  臨界温度 ,  ピン止め ,  パラメータ ,  エピタクシー ,  臨界電流密度 ,  イットリウムバリウム銅酸化物 ,  酸化マグネシウム ,  電流 ,  形態 ,  *傾斜角
準シソーラス用語： 被覆導体 ,  撹乱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 取り込み ,  傾斜角