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J-GLOBAL ID：201902217759654472   整理番号：19A2006830

InAs量子井戸におけるDresselhausとRashbaスピン-軌道結合の間の相互作用に及ぼす照明の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of illumination on the interplay between Dresselhaus and Rashba spin-orbit couplings in InAs quantum wells

著者 (6件)： Cimpoiasu E. (Physics Department, U.S. Naval Academy, Annapolis, Maryland 21402, USA) ,  Dunphy B. R. (Physics Department, U.S. Naval Academy, Annapolis, Maryland 21402, USA) ,  Mack S. (Naval Research Laboratory, Washington DC 20375, USA) ,  Christodoulides J. A. (Naval Research Laboratory, Washington DC 20375, USA) ,  Lunsford-Poe B. (Department of Physics and Astronomy, Johns Hopkins University, Baltimore, Maryland 21218, USA) ,  Bennett B. R. (Naval Research Laboratory, Washington DC 20375, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 126  号： 7  ページ： 075704-075704-9  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン-軌道結合(SOC)のキャリア密度と薄いn型InAs量子井戸の半導体特性のキャリア密度への依存性を,第二サブバンドが占有し始めるときの高キャリア密度の限界において調べた。シートおよびHall抵抗の測定を,可変磁場,温度,および400nmから1300nmまでの波長の照射下で行った。Shubnikov de Haas振動におけるビートは強いスピン-軌道結合の存在を示し,振動の高速Fourier変換はRashbaとDresselhausスピン-軌道相互作用の両方の存在に向かっている。スピン-軌道相互作用のタイプと垂直磁場の両方を持つ単一サブバンド2D電子系のハミルトニアンに基づいて,SOCsのキャリア密度依存性を抽出するためにシミュレーションを用いた。結果は,Rashba係数がキャリア濃度の増加と共に減少し,二重占有への遷移に近い加速された減少を伴うことを示した。Dresselhaus係数はより小さいだけでなく,キャリア移動度とLandau準位広がりエネルギーと共に,遷移の近接性においても低下する。この挙動を二重占有の開始に関連する現象とサブバンド間相互作用に基づいて論じた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  磁場 ,  スピン-軌道相互作用 ,  キャリア移動度 ,  半導体 ,  ハミルトニアン ,  キャリア密度 ,  密度依存性 ,  *ヒ化インジウム ,  *量子井戸 ,  *相互作用 ,  Landau準位
準シソーラス用語： 近接性 ,  垂直磁場 ,  サブバンド ,  *L-S結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  磁性理論  (BM06020X) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  量子井戸 ,  Rashbaスピン-軌道結合 ,  相互作用 ,  照明