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J-GLOBAL ID：201902217814664285   整理番号：19A2695168

透明メモリスタデバイスのためのZnO膜特性に及ぼすRFスパッタパワーの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of rf sputter power on ZnO film characteristics for transparent memristor devices

著者 (3件)： Simanjuntak Firman Mangasa (World Premier Institute (WPI) - Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ohno Takeo (Department of Innovative Engineering, Oita University, Oita 870-1192, Japan) ,  Samukawa Seiji (World Premier Institute (WPI) - Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 10  ページ： 105216-105216-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO系透明メムリスタ素子のスイッチング特性に及ぼす高周波(rf)スパッタリングパワーの影響を調べた。高rf電力で作製したメムリスタデバイスは優れたスイッチング特性を示した。一方,rf電力を減少させると,見かけのスイッチング挙動が低下し,素子破壊の可能性が増加した。しかし,rf電力が高周波パワーが欠陥濃度と堆積ZnO膜の微細構造に著しく影響するのでスイッチング均一性が低下することを示した。これはメムリスタデバイスのスイッチング特性と性能を決定する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *RFスパッタリング ,  HF【周波数】 ,  電力 ,  微細構造 ,  スイッチング
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (5件)： メモリスタ ,  ZnO ,  膜特性 ,  RFスパッタ ,  パワー