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J-GLOBAL ID：201902217830787756   整理番号：19A1136298

高周波(RF)マグネトロンスパッタリングにより作製したCu_2CoSn_4薄膜の合成とキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and characterization of Cu₂CoSnS₄ thin films prepared via radio-frequency (RF) magnetron sputtering

著者 (3件)： Wang Ting (School of Physical and Material Science, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Zhan Qingfeng (School of Physical and Material Science, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Cheng Wenjuan (School of Physical and Material Science, East China Normal University, Shanghai, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 3  ページ： 2285-2291  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2CoSnS_4(CCTS)薄膜を,最初に,2つの異なる金属前駆体積層順序を有するRFマグネトロンスパッタリングにより,続いて,温度の種類の下で硫化処理することによって,首尾よく製造した。X線回折(XRD),Raman分光法(Raman),走査電子顕微鏡法(SEM),エネルギー分散分光法(EDS),X線光電子分光法(XPS)および紫外可視近赤外分光光度計(UV-vis-NIR分光光度計)により,成長したままの膜の構造,形態,組成,化学的原子価状態および光学的性質を検討した。XRDおよびRaman分析により,得られたCu_2CoSnS_4薄膜は,スタンナイト構造を有し,そして,結晶度は,2つの堆積次数の下で,増分硫化温度を伴って,改善された。加硫過程におけるCCTS膜の成長機構も考察した。XRD,Raman分光法およびSEM分析は,Cu/Co/Sn配列中に堆積した前駆体が600°C硫化アニーリング後に最良の結晶性を有することを示した。この調製条件下で,XPS分析は,膜中の4つの主元素の化学状態が,Cu(I),Co(II),Sn(IV)および硫化物イオンであり,UV-vis-NIR吸収スペクトルにより1.58eVの直接バンドギャップを示し,光起電力利用の理想値に近いことを示した。Copyright 2018 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *薄膜 ,  *キャラクタリゼーション ,  X線回折 ,  吸収スペクトル ,  硫化 ,  結晶度 ,  *薄膜成長 ,  前駆体 ,  光起電力 ,  X線光電子分光法 ,  焼なまし ,  Raman分光法 ,  光学的性質
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  RF ,  マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  薄膜 ,  キャラクタリゼーション