文献

J-GLOBAL ID：201902217921970321   整理番号：19A1414292

ビスマスフェライト薄膜におけるE場制御相変態とレーザエネルギー密度の効果【JST・京大機械翻訳】

E-field controlled phase transformation in bismuth ferrite thin films, and effect of laser energy density

著者 (6件)： Gao Min (Department of Materials Science and Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA) ,  Viswan Ravindranath (Department of Materials Science and Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA) ,  Tang Xiao (Department of Materials Science and Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA) ,  Leung Chung Ming (Department of Materials Science and Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA) ,  Li Jiefang (Department of Materials Science and Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA) ,  Viehland D. (Department of Materials Science and Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 15  ページ： 152905-152905-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiFeO_3/Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_3-30%PbTiO_3(BFO/PMN-30PT)のヘテロ構造をパルスレーザ蒸着により作製した。電場(E)を面内および面外方向に沿ってPMN-30PT基板上に適用し,BFOの誘起歪をX線回折によりEの関数として測定した。(110)ゾーン軸に沿った逆空間マップは,単斜晶M_A相がPMN-PTとBFOの両方で誘起され,そこでは面内Eの応用下で二軸方向の間で支配的なドメイン構造がスイッチできることを証明した。BFOの面内歪を最適化するために,異なるレーザエネルギー密度(LED)下で作製した膜について研究を行った。1J/cm2の比較的低いLEDは,より大きな面内歪を有するより良いBFO薄膜を生成した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： パルスレーザ蒸着 ,  基板 ,  スイッチ ,  電場 ,  X線回折分析 ,  単斜晶系 ,  *薄膜 ,  *エネルギー密度 ,  *効果 ,  最適化 ,  *レーザ ,  X線回折
準シソーラス用語： ドメイン構造 ,  逆格子空間 ,  ヘテロ構造 ,  *ビスマスフェライト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： ビスマスフェライト ,  薄膜 ,  相変態 ,  レーザ ,  エネルギー密度