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J-GLOBAL ID：201902218105902171   整理番号：19A0016652

200mm Si基板上のIn_0.49Ga_0.51P/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT):ベース厚み,ベース及びサブコレクタドーピング濃度の影響【JST・京大機械翻訳】

In_0.49Ga_0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) on 200 mm Si substrates: Effects of base thickness, base and sub-collector doping concentrations

著者 (8件)： Wang Yue (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #10-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602) ,  Lee Kwang Hong (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #10-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602) ,  Loke Wan Khai (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  Ben Chiah Siau (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  Zhou Xing (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  Yoon Soon Fatt (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #10-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602) ,  Tan Chuan Seng (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #10-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602) ,  Fitzgerald Eugene (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #10-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 11  ページ： 115132-115132-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い100%ゲルマニウム(Ge)バッファ層を用いて200mmシリコン(Si)基板上に直接成長させたエピタキシャル膜上に作製したInGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の性能を報告した。有機金属化学蒸着(MOCVD)を用いてバッファ層とデバイス層の両方をエピタキシャル成長させた。数値シミュレーションの支援により,ベースドーピング濃度(Cドープ,~1.9×10~19/cm~3),ベース層厚(~55nm),サブコレクタドーピング濃度(Teドープ,>5×10~18/cm~3)を最適化することにより,約100のDC電流利得をもつ高性能GaAs HBTを達成できた。9.43V以上のベース(BV_ceo)での絶縁破壊電圧は,200mmウエハを横切る<3%の変化で実現した。これらの結果は,携帯電話ハンドセットのための電力増幅器や,通常のSiプラットフォーム上の標準Si-CMOSトランジスタとのHBTのモノリシック集積のような応用を可能にする。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  電力増幅器 ,  携帯電話 ,  送受話器 ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  バッファ層 ,  *基板 ,  *ドーピング ,  最適化 ,  *ケイ素 ,  *HBT【トランジスタ】
準シソーラス用語： モノリシック集積化 ,  絶縁破壊電圧 ,  電流利得 ,  数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  GaAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  HBT ,  厚み