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J-GLOBAL ID：201902218168828920   整理番号：19S1454429

A novel high efficiency gate drive circuit for normally off type GaN-FET

著者 (4件)： Umegami, Hirokatsu (Shimane University) ,  Yamamoto, Masayoshi (Shimane University) ,  Nozaki, Yu (Sanken Electric Corporation) ,  Machida, Osamu (Sanken Electric Corporation)
資料名： 2012 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2012
ページ： 2954-2960  発行年： 2012年 
JST資料番号： SCOPUS  ISBN： 9781467308014 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)