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J-GLOBAL ID：201902218257795242   整理番号：19A1410056

可視LED光照射下での増強された光電気化学的および光触媒性能を有するZスキームNiTiO_3/g-C_3N_4ヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】

Z-Scheme NiTiO₃/g-C₃N₄ Heterojunctions with Enhanced Photoelectrochemical and Photocatalytic Performances under Visible LED Light Irradiation

著者 (6件)： Huang Zhenyu (School of Chemistry and Materials Science, Ludong University, PR China) ,  Zeng Xiaoqiao (Chemical Sciences and Engineering Division, Argonne National Laboratory, Illinois, United States) ,  Li Kai (School of Chemistry and Materials Science, Ludong University, PR China) ,  Gao Shanmin (School of Chemistry and Materials Science, Ludong University, PR China) ,  Wang Qingyao (School of Chemistry and Materials Science, Ludong University, PR China) ,  Lu Jun (Chemical Sciences and Engineering Division, Argonne National Laboratory, Illinois, United States)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 47  ページ： 41120-41125  発行年： 2017年11月29日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接Z-スキームNiTiO_3/g-C_3N_4ヘテロ接合を簡単な焼成法を用いて成功裏に組み立て,光電気化学と光触媒性能を発光ダイオード(LED)により調べた。約50wt%のNiTiO_3含有量を有するヘテロ接合によって構成された光アノードは,0.066%までの光変換効率を有する最良の光電気化学活性を示して,それは,NiTiO_3またはg-C_3N_4より4.4および3.13倍大きかった。ヘテロ接合の著しく増強された光電気化学と光触媒活性はZスキーム機構による効率的に光生成した電子-正孔分離に起因する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  *触媒活性 ,  発光ダイオード ,  *光照射 ,  *光電気化学 ,  *電気化学 ,  *光触媒 ,  光生成 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  光変換 ,  光アノード ,  Z-スキーム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： NiTiO_3/G-C_3N_4 ,  Zスキーム ,  電気化学 ,  光触媒 ,  可視LED光

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (7件)： LED ,  光照射 ,  増強 ,  光電気化学 ,  触媒性能 ,  スキーム ,  ヘテロ接合