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J-GLOBAL ID：201902218321524153   整理番号：19A1415902

H終端ダイヤモンド上のAl_2O_3誘電体層:表面伝導率の制御【JST・京大機械翻訳】

Al₂O₃ dielectric layers on H-terminated diamond: Controlling surface conductivity

著者 (6件)： Yang Yu (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  Koeck Franz A. (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  Dutta Maitreya (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, California 95616, USA) ,  Wang Xingye (School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-6106, USA) ,  Chowdhury Srabanti (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, California 95616, USA) ,  Nemanich Robert J. (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 15  ページ： 155304-155304-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,H終端ダイヤモンドの表面伝導率を,その場蒸着後処理により誘電体層を用いて保存し,安定化できる方法を調べた。Al_2O_3の薄層をプラズマ増強原子層蒸着(PEALD)によりH終端非ドープダイヤモンド(100)表面上に成長させた。正孔蓄積層の変化を,ダイヤモンドC1sコアレベルの結合エネルギーを電気測定と相関させてモニターした。1nmAl_2O_3の初期PEALDは,表面正孔蓄積の減少と表面伝導率の減少と一致するC1sコアレベル結合エネルギーの増加をもたらした。水素プラズマステップは伝導性表面の値にC1s結合エネルギーを回復させ,ダイヤモンド表面の抵抗は表面移動ドーピングの範囲内にあることが分かった。さらに,PEALD成長は,C1sコアレベルおよび電気測定の位置に従って,表面伝導層を劣化させないように見えた。本研究は,H終端ダイヤモンドの二次元正孔蓄積層を確立し,制御し,H終端ダイヤモンド電子デバイスの安定性と性能を改善するアプローチへの洞察を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面拡散 ,  電気測定 ,  薄膜 ,  蒸着 ,  結合エネルギー ,  *ダイヤモンド ,  *誘電体 ,  二次元 ,  プラズマ ,  ドーピング ,  正孔 ,  薄膜成長 ,  蓄積層
準シソーラス用語： 電子素子 ,  *表面伝導 ,  *表面伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 終端 ,  ダイヤモンド ,  表面伝導率