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J-GLOBAL ID：201902218339741993   整理番号：19A2433495

スピントロニクスの新現象とその応用-4 強磁性半導体とヘテロ構造による新機能創出,スピントロニクスへの応用

著者 (1件)： 田中雅明 (東大 大学院工学系研究科 スピントロニクス学術連携研究教セ)
資料名： 電気学会誌  (電気学会雑誌)
巻： 139  号： 10  ページ： 679-685,660-661  発行年： 2019年10月01日 
JST資料番号： F0011A  ISSN： 1340-5551  CODEN： DGZAAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・本稿では強磁性半導体とその物性,スピントロニクス・デバイスへの応用について,一端を解説。
・(Ga,Mn)Asの量子井戸(QW)構造における共鳴トンネル分光の系統的な実験を行った結果,Mn濃度,正孔濃度,T_cに関わらず,E_FがVB上端より上の禁制帯中(IB中)に位置すること,価電子帯構造はGaAsに近くほぼ非磁性。
・従来広く研究が行われてきたMnは,デバイス応用に当たってはT_cがかなり低く,n型ドーピングが困難等の課題が多く,磁性元素としてFeを添加した狭ギャップ強磁性半導体を作製し,その性質を解明。
・(In,Fe)Asでは,非磁性ドナー(Si,Be)を添加することにより電子キャリアの濃度nを制御することができ,Fe濃度(5%)の(In,Fe)Asではnが6×10¹⁸cm^-3以上の試料で強磁性を観測。
・スピントランジスタ・デバイスとして,強磁性層を含むヘテロ接合型スピントランジスタ,ソースとトレインを強磁性体電極とする横型Spin-MOSFET,スピン依存トンネル伝導を用いた縦型Spin-MOSFETを試作。
・さらに,磁気抵抗比が大きなスピンMOSFETの実現のため,最近縦型スピンMOSFETを考案・作製。

シソーラス用語： *スピントロニクス ,  *強磁性半導体 ,  *素子構造 ,  ヒ化ガリウム ,  マンガン ,  *ドーピング ,  量子井戸 ,  トンネル分光法 ,  Fermi準位 ,  Curie温度 ,  鉄 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化インジウム ,  ケイ素 ,  ベリリウム ,  *MOSFET ,  電気伝導 ,  トンネル効果 ,  縦型 ,  磁気抵抗
準シソーラス用語： n型ドーピング ,  *スピンMOSFET ,  スピン依存伝導 ,  トンネリング ,  ナローギャップ半導体 ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (6件)： スピントロニクス ,  現象 ,  応用 ,  強磁性半導体 ,  ヘテロ構造 ,  創出