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J-GLOBAL ID：201902218381715076   整理番号：19A2367470

結晶学的に異方性のある機能性金属イオンを用いた電気化学的に集合したCu_2Oナノ粒子とナノ粒子粗大化による非常に強い抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Electrochemically Assembled Cu₂O Nanoparticles Using Crystallographically Anisotropic Functional Metal Ions and Highly Expeditious Resistive Switching via Nanoparticle Coarsening

著者 (8件)： Kim Dong Su (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Yun Young Dae (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Kim Joo Sung (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Kim Young Been (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Jung Sung Hyeon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Deshpande Nishad G. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Lee Ho Seong (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University, Republic of Korea) ,  Cho Hyung Koun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 13  号： 5  ページ： 5987-5998  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二元Cu_2Oの抵抗性ランダムアクセスメモリ(ReRAM)応用に適した電着プロセスの人工的に制御可能な戦略を開発した。典型的に,電極表面におけるOH-イオン濃度(酸素イオンの中間供給者)の正確な制御は,Cu_2Oの全体的反応速度を決定する。ここで,提案したPbとSb金属添加物は,Cu_2O電気化学反応中のOH-イオンの消費とOH-イオンの供給に優先的に寄与し,最終生成物は(200)優先四角形ピラミッドと(111)優先三角形ピラミッドである。興味あることに,Cu電解質中のSb/Pb前駆体の共存は,OH-イオン利用の反対作用からの反応速度の異常な減少と,強い進行性成長挙動をもたらし,結果としてのCu_2O膜は非晶質様マトリックス中の結晶化小サイズナノ粒子(NPs)から成る。ReRAM応用の場合には,多結晶膜は不規則な素子性能を誘起し,非晶質層は容易に回復できない電気絶縁破壊を示すが,Pb/Sb金属イオンからのNP集合Cu_2O膜は,電圧を形成せず,優れた電気安定性を有する結晶フィラメントへの相変化による伝導ブリッジの形成を明らかにした。これはJoule加熱の熱散逸に対するセット/リセットサイクル過程の間の大きな結晶粒への結晶NPsの合体に起因する。3mM Sb+3mM Pb混合溶液で調製したCu_2O試料は,1.2×104の高いオン/オフ抵抗比と長期間の電気/熱安定性を有する形成フリーReRAMデバイスを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金属イオン ,  *異方性 ,  *ナノ粒子 ,  鉛 ,  多結晶 ,  非晶質 ,  *結晶 ,  抵抗加熱 ,  電着 ,  アンチモン ,  角錐 ,  *銅 ,  フィラメント ,  *電気化学
準シソーラス用語： ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気化学 ,  酸化第一銅 ,  ナノ粒子 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  非晶質マトリックス

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 結晶学 ,  異方性 ,  機能性 ,  金属イオン ,  電気化学 ,  集合 ,  ナノ粒子 ,  抵抗スイッチング