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J-GLOBAL ID：201902218575965359   整理番号：19A0524392

ボディダイオードの影響を解析する10kW DC/DCコンバータにおける平面およびトレンチSiC MOSFETの動作【JST・京大機械翻訳】

Operation of planar and trench SiC MOSFETs in a 10kW DC/DC-converter analyzing the impact of the body diode

著者 (2件)： Awwad Abdullah Eial ,  Dieckerhoff Sibylle
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 917-924  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面および二重トレンチSiC MOSFETのボディダイオードの逆回復特性をスイッチング試験で実験的に解析し,比較した。トレンチSiC MOSFETのボディダイオードは改善された性能を示し,逆回復挙動を抑制するために反平行SBDを使用することは不要になる。スイッチング試験に続いて,素子を10kW/100~250kHzのバックコンバータで連続モードで動作させた。全コンバータの測定効率は同期整流モードで98.9%に達した。考慮した平面MOSFETの並列動作がコンバータに必要である。したがって,トランジスタの静的および動的電流共有に及ぼすパラメータ不整合の影響を評価し,SiC MOSFETの並列化が実行可能であることを示した。並列接続の性能は温度依存性である。測定および解析的に計算した損失に基づいて,接合温度を推定し,連続動作モードにおける並列SiCデバイスの安全な動作領域を確保した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 安全性 ,  *MOSFET ,  *変換器 ,  温度依存性 ,  電流 ,  *炭化ケイ素 ,  トランジスタ ,  不整合 ,  連続操作 ,  並列接続 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 接合温度 ,  同期整流 ,  バックコンバータ ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ボディダイオード ,  解析 ,  DC ,  コンバータ ,  トレンチ ,  SiC ,  MOSFET