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J-GLOBAL ID：201902218653327284   整理番号：19A1957070

単一全シリコンリング共振器の解析,モデリングおよびシミュレーションとそれらの結合長に基づく比較【JST・京大機械翻訳】

Analysis, modeling and simulation of single all-silicon ring resonators and their comparison on the basis of their coupling lengths

著者 (3件)： Sahai Shreya (Department of Electronics and Communication, JIIT, Noida 201307, India) ,  Varshney Anshu D. (Department of physics and material science and engineering, JIIT Noida 201307, India) ,  Varshney S. K. (Department of Electronics and Communication, IIT, Kharagpur, 721302, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2136  号： 1  ページ： 050011-050011-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,シリコン導波路を有する単一のすべてのシリコンリング共振器の設計,モデリングおよびシミュレーションを提示した。リング共振器の結合長さに基づいて比較研究を行った。リング共振器はフォトニクス,通信およびセンシング応用に広く使われている。結合長の増加はスペクトルにおいて鋭い負の反射率をもたらすことが観測された。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  *モデリング ,  導波路 ,  *核間距離 ,  *ケイ素 ,  反射率 ,  *リング共振器
準シソーラス用語： フォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分子・遺伝情報処理  (JE15040B)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  リング共振器 ,  解析 ,  モデリング ,  シミュレーション ,  結合長