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J-GLOBAL ID：201902218874710941   整理番号：19A2108904

STT-MRAMに基づく磁気メモリ材料キャッシュの設計と最適化の研究と解析【JST・京大機械翻訳】

Research and Analysis of Design and Optimization of Magnetic Memory Material Cache Based on STT-MRAM

著者 (4件)： Liu Tian (Zaozhuang University, School of Information Science and Engineering China) ,  Zhang Wei (Zaozhuang University, School of Information Science and Engineering China) ,  Xu Tao (Zaozhuang University, School of Information Science and Engineering China) ,  Wang Guan (Zaozhuang University, School of Information Science and Engineering China)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 815  ページ： 28-34  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,STT-MRAM磁気メモリに基づくキャッシュ置換アルゴリズムを提案する。それは,より良く使用されるST-MRAM磁気メモリに基づく材料システムを作ることを目的とする。このアルゴリズムは,STT-MRAM磁気メモリヘッドの位置とST-MRAM磁気メモリのハードウェア特性を考慮することによって,キャッシュにおけるデータブロックを置き換えた。この方法は,従来の磁気メモリベースの共通キャッシュ置換アルゴリズムとは異なる。従来の置換アルゴリズムは,キャッシュを改善するためのアルゴリズムのみで一般的に設計されており,記憶装置のハードウェア特性は無視されている。この方法は,キャッシュ寿命と効率を改善することにより,ST-MRAM磁気メモリの材料特性を改善することができる。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ハードウェア ,  *キャッシュメモリ ,  *最適化 ,  記憶装置 ,  アルゴリズム ,  *磁気メモリ
準シソーラス用語： 材料特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 材料設計 ,  磁気メモリ ,  STT-MRAM

分類 (5件)： 研削  (QC03000R) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  緩衝器,ばね  (QB01110U)

タイトルに関連する用語 (8件)： STT-MRAM ,  磁気 ,  メモリ材料 ,  キャッシュ ,  設計 ,  最適化 ,  研究 ,  解析