文献

J-GLOBAL ID：201902218876200202   整理番号：19A0995323

CNFETベースの電力および可変性を意識した不揮発性RRAMセルの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of CNFET based power- and variability-aware nonvolatile RRAM cell

著者 (3件)： Pal Soumitra (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong) ,  Gupta Vivek (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology (Deemed University), Mesra, Ranchi, Jharkhand, 835215, India) ,  Islam Aminul (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology (Deemed University), Mesra, Ranchi, Jharkhand, 835215, India)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 86  ページ： 7-14  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電力と可変性を意識した非揮発性RRAMセル(4CNFET2M)を示した。不揮発性メモリ素子としてメムリスタを用いた。提案したセルを標準の6T SRAM(S6T)セルと2T2M RRAMセル(メムリスタに基づく最新の設計の状態)と比較した。提案したセルは,2T2Mと比較して,1.26×/3.61×短い読取遅延/書込み遅延変動性を示した。また,4CNFET2MはS6Tに比べて1.39×狭い読取遅延変動を示した。さらに,提案したセルは2T2M RRAMセルと比較して6.4×短い書込み遅延を示した。4CNFET2Mは,従来のS6T SRAM/2T2M RRAMセルと比較して,保持モードの間に10~6×/2.02×低電力を消費する。さらに,提案したセルは,両方のセルと比較して,保持電力変動性の改善を示した。ここで示した全てのシミュレーションデータは1V電源電圧に対してである。これらの改善は,メムリスタとCNFET技術を用いるために達成される。これらの利点は,S6Tと比較して,2T2M/S6Tおよび33.6×より長い書込み遅延と比較して,わずかに長い読取遅れのコストで得られた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電力 ,  不揮発性メモリ ,  *非揮発性 ,  シミュレーション ,  電力変動
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  低電力化 ,  メモリスタ ,  *ReRAM ,  CNTFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： RRAM ,  不揮発性メモリ ,  CNFET ,  メムリスタ ,  ホールドパワー ,  リード遅延 ,  書き込み遅延

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： CNFET ,  可変性 ,  意識 ,  不揮発性 ,  RRAM ,  セル ,  設計