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J-GLOBAL ID：201902218890423641   整理番号：19A1415569

マンガン酸塩膜における準安定状態の多準位制御【JST・京大機械翻訳】

Multilevel control of the metastable states in a manganite film

著者 (12件)： Jin Feng (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Feng Qiyuan (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Guo Zhuang (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Lan Da (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Chen Binbin (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Xu Haoran (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Wang Ze (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Wang Lingfei (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Gao Guanyin (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Chen Feng (High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Lu Qingyou (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Wu Wenbin (Department of Physics and Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 24  ページ： 245304-245304-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度メモリ応用のためには,セル当たりの多準位抵抗状態間の動的スイッチングが非常に望ましく,酸化物ベースのメモリデバイスに対しては,多状態動作が活発に探求されている。La_2/3Ca_1/3MnO_3膜に対して,反強磁性電荷秩序化絶縁体(COI)相が異方性エピタキシャル歪により誘起され,広い温度範囲においてドーピング決定強磁性金属(FMM)基底状態と競合することを以前に示した。ここでは,相競合に対して,種々の磁場および/または熱サイクルにおいて,COI相の再出現,したがって,抵抗および磁化を,より低い温度で多重レベルで操作し,定量化することができることを示した。さらに,高磁場磁気力顕微鏡を用いて,輸送測定に従ってCOI/FMM分域構造を画像化し,進化領域または相分率比が再出現したCOI液滴の準安定性を強調することを見出した。これはおそらく,適応歪によるエネルギー障壁により保護される。これらの結果は,将来のマルチレベルメモリセルの設計と製造に新しい洞察を加える可能性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  液滴 ,  酸化物 ,  記憶装置 ,  *マンガン酸塩 ,  *準安定状態 ,  多重化 ,  反強磁性 ,  磁場 ,  スイッチング ,  エピタクシー ,  絶縁体 ,  記憶素子 ,  異方性
準シソーラス用語： 準安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (2件)： マンガン酸塩 ,  準安定状態