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J-GLOBAL ID：201902218903036427   整理番号：19A2444363

原子的に極薄発光層を持つGaN単分子層反射モード光電陰極の量子効率に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on quantum efficiency of GaN monolayer reflection-mode photocathode with atomically ultra-thin emission layer

著者 (5件)： Tian Jian (Department of optoelectronic technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, PR China) ,  Liu Lei (Department of optoelectronic technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, PR China) ,  Xia Sihao (Department of optoelectronic technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, PR China) ,  Diao Yu (Department of optoelectronic technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, PR China) ,  Lu Feifei (Department of optoelectronic technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, PR China)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 454  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNの励起子効果は,電子-正孔相互作用の強度を大きく増強し,より高いキャリア濃度に導く原子層のみを持つとき,量子閉込め効果により増強される。従って,GaN単分子層は,より高い量子効率を達成するために光陰極を調製するために使用できる。本論文では,バッファ層と各GaN単分子層の両方で発生したGaN単分子層反射モード光電陰極を提唱し,超薄GaN ML光電陰極に対する修正量子効率(QE)式を提案した。そして,発光層が1ML GaNであるとき,量子効率式,逆界面再結合速度,表面脱出確率および表面反射率に基づいてシミュレーションした。さらに,発光層がわずかなGaN単分子層であるとき,逆界面再結合速度,GaN ML/GaN ML界面の再結合速度,およびGaN単分子層の数をシミュレートした。シミュレーション結果は,単層の数がGaN ML光電陰極のQEに影響を及ぼすことができ,QEはGaN ML/GaN ML界面の逆界面再結合速度と再結合速度に大きく依存することを示した。著者らのシミュレーション結果は,発光層としてある数のGaN MLを有するGaN光電陰極の調製のための理論的指針を提供することが期待される。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  励起子 ,  *量子効率 ,  界面 ,  *窒化ガリウム ,  正孔 ,  単一層 ,  *単分子層 ,  *光電陰極 ,  シミュレーション ,  バッファ層 ,  キャリア密度 ,  量子閉込め
準シソーラス用語： 再結合速度 ,  *発光層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN単分子層 ,  極薄発光層 ,  光電陰極 ,  量子効率

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子 ,  発光層 ,  GaN ,  単分子層 ,  光電陰極 ,  量子効率 ,  研究