文献

J-GLOBAL ID：201902218974789161   整理番号：19S1241894

Micro-raman characterization of cluster carbon implanted si before and after rapid thermal annealing

著者 (7件)： Yoo, Woo Sik (WaferMasters, Inc.) ,  Kang, Kitaek (WaferMasters, Inc.) ,  Nishigaki, Hiroshi (Kyoto Institute of Technology) ,  Hasuike, Noriyuki (Kyoto Institute of Technology) ,  Harima, Hiroshi (Kyoto Institute of Technology) ,  Yoshimoto, Masahiro (Kyoto Institute of Technology) ,  Sekar, Karuppanan (Nissin Ion Equipment USA, Inc.)
資料名： ECS Transactions
巻： 75  号： 8  ページ： 605-613  発行年： 2016年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 1938-5862  ISBN： 9781607685395 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  RaPID