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J-GLOBAL ID：201902219084097725   整理番号：19A1408609

イソインジゴ-alt-ビチオフェン系高分子薄膜における混合配向と改良電荷輸送を導く側鎖における対称性の破れ【JST・京大機械翻訳】

Symmetry Breaking in Side Chains Leading to Mixed Orientations and Improved Charge Transport in Isoindigo-alt-Bithiophene Based Polymer Thin Films

著者 (14件)： Xue Guobiao (Department of Chemistry, Purdue University, Indiana, United States) ,  Xue Guobiao (MOE Key Laboratory of Macromolecule Synthesis and Functionalization, State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Polymer Science and Engineering, Zhejiang University, P. R. China) ,  Zhao Xikang (Department of Chemistry, Purdue University, Indiana, United States) ,  Qu Ge (Department of Chemical & Biomolecular Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, United States) ,  Xu Tianbai (Department of Chemistry, Purdue University, Indiana, United States) ,  Xu Tianbai (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, P. R. China) ,  Gumyusenge Aristide (Department of Chemistry, Purdue University, Indiana, United States) ,  Zhang Zhuorui (Department of Chemistry, Purdue University, Indiana, United States) ,  Zhang Zhuorui (Department of Chemistry, Tsinghua University, P. R. China) ,  Zhao Yan (Department of Chemistry, Purdue University, Indiana, United States) ,  Diao Ying (Department of Chemical & Biomolecular Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, United States) ,  Li Hanying (MOE Key Laboratory of Macromolecule Synthesis and Functionalization, State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Polymer Science and Engineering, Zhejiang University, P. R. China) ,  Mei Jianguo (Department of Chemistry, Purdue University, Indiana, United States) ,  Mei Jianguo (Birck Nanotechnology Center, Purdue University, Indiana, United States)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 30  ページ： 25426-25433  発行年： 2017年08月02日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 側鎖の選択は共役重合体の設計において重要である。それはそれらの固有の物理的性質に影響するだけでなく,薄膜形態にも影響を及ぼす。最近の報告は,高分子薄膜で観察される面上/エッジ上の二峰性配向が三次元(3D)電荷輸送の原因であり,ドナー-アクセプタ系共役高分子における劇的に改善された移動度をもたらす可能性があることを示唆した。薄膜における二モード配向を達成することは,分子設計の観点からほとんど探求されていない。ここで,著者らは,すれすれ入射X線回折によって確認された,明確な二峰性配向を採用するために,イソインジゴベース高分子を可能にする非対称側鎖の使用を含む設計戦略を実証した。結果として,高分子は,2つの参照重合体から得られた0.47および0.51cm~2V~-1s-1と比較して,5.1cm~2V~-1s-1の最大値をもつ3.8±0.7cm~2V~1s-1の平均高移動度を示した。本研究では,特性-構造関係を理解することにより次世代高分子を開発する新しい戦略を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *薄膜 ,  重合体 ,  アクセプタ ,  三次元 ,  *高分子薄膜 ,  非対称性 ,  分子設計 ,  *側鎖 ,  *高分子 ,  ドナー ,  形態
準シソーラス用語： すれすれ入射X線回折 ,  *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非対称側鎖 ,  イソインジゴ系ポリマー ,  電界効果トランジスタ ,  バイモーダル配向 ,  三次元電荷輸送

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： イソインジゴ

タイトルに関連する用語 (7件)： イソインジゴ ,  ALT ,  高分子薄膜 ,  配向 ,  電荷輸送 ,  側鎖 ,  対称性の破れ