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J-GLOBAL ID：201902219193184808   整理番号：19A2088867

決定論的多重サブバンドBoltzmann輸送方程式ソルバを用いたGaNベースHEMTにおけるElectron輸送特性の理論研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Study of Electron Transport Properties in GaN-Based HEMTs Using a Deterministic Multi-Subband Boltzmann Transport Equation Solver

著者 (2件)： Cha Suhyeong (Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, South Korea) ,  Hong Sung-Min (Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 66  号： 9  ページ： 3740-3747  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNチャネルを有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)を決定論的マルチサブバンドBoltzmann輸送方程式ソルバを用いてシミュレーションした。InGaNバック障壁を含む構造を考察した。電子移動度を,電子移動度に対する各散乱機構の寄与を同定するために,一次元ヘテロ構造に対して計算した。GaN系HEMTに対して,非平衡状態における電子輸送を,Fourier高調波により拡張した多重サブバンドBoltzmann方程式を解くことにより決定した。極性光学フォノンと変形ポテンシャルフォノンを考慮して,Pauli原理を考慮しながら素子の散乱を説明した。移動度とI-V特性を評価するために行ったシミュレーションの結果をAlInN/AlN/GaN/InGaN HEMT構造からの実験結果と比較した。HEMTの遮断周波数も準静的近似の下で推定した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  準静的近似 ,  フォノン ,  *窒化ガリウム ,  一次元 ,  *多重化 ,  遮断周波数 ,  *HEMT ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  電子移動度 ,  *ソルバ ,  *輸送方程式 ,  *サブバンド ,  *決定論 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 多重 ,  サブバンド ,  輸送方程式 ,  ソルバ ,  GaN ,  HEMT ,  輸送特性 ,  理論 ,  研究