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J-GLOBAL ID：201902219203785424   整理番号：19A1887309

遷移金属ジカルコゲナイドMOS_2とMoSe_2ヘテロ構造のフォノン熱特性【JST・京大機械翻訳】

Phonon Thermal Properties of Transition-Metal Dichalcogenides MoS₂ and MoSe₂ Heterostructure

著者 (13件)： Zhang Jingchao (Key Laboratory of Hydraulic Machinery Transients, Wuhan University, Ministry of Education, Hubei, China) ,  Zhang Jingchao (Holland Computing Center, University of Nebraska-Lincoln, Nebraska, United States) ,  Hong Yang (Department of Chemistry, University of Nebraska-Lincoln, Nebraska, United States) ,  Wang Xinyu (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong) ,  Yue Yanan (Key Laboratory of Hydraulic Machinery Transients, Wuhan University, Ministry of Education, Hubei, China) ,  Yue Yanan (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Hubei, China) ,  Xie Danmei (Key Laboratory of Hydraulic Machinery Transients, Wuhan University, Ministry of Education, Hubei, China) ,  Xie Danmei (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Hubei, China) ,  Jiang Jin (Key Laboratory of Hydraulic Machinery Transients, Wuhan University, Ministry of Education, Hubei, China) ,  Jiang Jin (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Hubei, China) ,  Xiong Yangheng (Key Laboratory of Hydraulic Machinery Transients, Wuhan University, Ministry of Education, Hubei, China) ,  Xiong Yangheng (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Hubei, China) ,  Li Peisheng (Jiangxi Province Key Laboratory of Polymer Preparation & Processing, Shangrao Normal University, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 19  ページ： 10336-10344  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つのプロトタイプ遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)材料,MoS_2とMoSe_2は有望な2D半導体として注目されている。面外方向に2D単分子層を積層することにより生成したヘテロ構造は,電子応用に利用できる特異な性質を示した。MoS_2/MoSe_2ヘテロ二分子層における横および曲げフォノン輸送挙動を,古典的分子動力学シミュレーションを用いて包括的に研究した。面内熱伝導率(κ)と面外界面熱抵抗(R)を,それぞれ非平衡分子動力学(NEMD)と過渡ポンププローブ法により計算した。MoS_2/MoSe_2の二層二次元シートの熱伝導率は28.8W/m Kと特性化され,これはほとんどのTMDC材料の高い熱伝導率を保持する。MoS_2,MoSe_2,およびヘテロ二分子層の最大κ減少は,温度が100から500Kに上昇すると,それぞれ,83.0,68.9,および77.1%に減少した。また,MoS_2/MoSe_2二分子層の基底面熱性能は界面相互作用によって影響されず,それは工業的応用において重要であることがわかった。予測した面外曲げフォノンコンダクタンスの結果は,熱流束が逆方向よりもMoS_2からMoSe_2へ優先的に走ることを明らかにした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プロトタイプ ,  二分子層 ,  キャラクタリゼーション ,  単分子層 ,  熱伝導率 ,  *熱特性 ,  二次元 ,  *フォノン ,  計算機シミュレーション ,  半導体 ,  熱流束
準シソーラス用語： 二層 ,  分子動力学シミュレーション ,  フォノン輸送 ,  *ヘテロ構造 ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  二次電池  (YB04030K) ,  塩  (CD01050V) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  ヘテロ構造 ,  フォノン ,  熱特性