Tate_4単結晶における異方性大磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Gao Yuxia; Xu Longmeng; Qiu Yang; Tian Zhaoming; Yuan Songliu; Wang Junfeng

文献

J-GLOBAL ID：201902219332177481 整理番号：19A1415801

Tate_4単結晶における異方性大磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic large magnetoresistance in TaTe₄ single crystals

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著者 (6件)：

Gao Yuxia

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(School of Physics and Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China)

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Xu Longmeng

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Qiu Yang

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資料名：

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巻： 122 号： 13 ページ： 135101-135101-6 発行年： 2017年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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フラックス法により合成した高品質TaTe_4単結晶における強い異方性磁気輸送を報告した。c軸に垂直なBをもつ低温で大きな正の磁気抵抗(MR)と磁場誘起金属-半導体様転移が観測された。MR値は,軸に平行なBを有する2Kで9Tにおいて3200%に達し,c軸に沿ったBに対して79%と対照的であった。ab面内で回転したBによる角度依存磁気抵抗は,低温で8倍の対称性と顕著なShubnikov-de Haas(SdH)振動を示した。角度依存抵抗率,Hall効果および観測されたSdH振動の解析から,TaTe_4における大きな異方性MRの原因となる高い移動電子および異方性Fermi面が示唆された。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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