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J-GLOBAL ID:201902219333257204   整理番号:19A0920829

高キャリア移動度を有する層状すずカルコゲン化物における水分解のための増強光触媒【JST・京大機械翻訳】

Enhanced photocatalysis for water splitting in layered tin chalcogenides with high carrier mobility
著者 (6件):
資料名:
巻: 21  号: 14  ページ: 7559-7566  発行年: 2019年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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それらの適切なバンドギャップ(1.40eVと2.34eVの間)により,新しく作製したスズモノカルコゲニド(SnX,X=S,Se)とジカルコゲニドSnX_2はMoS_2よりはるかに小さく,可視光を得るための有望な材料である。さらに,異方性キャリア移動度はSnSeに対して2486.93cm~2V-1s-1,SnS2に対して2181.96cm~2V-1s-1であった。低い引張歪を適用することによって,SnXのバンド端部は,水分解のための判定基準を満たすために低下することができた。一方,光発生励起子結合エネルギーは非常に低く,電子-正孔が効率的に分離でき,光触媒反応に対して顕著な活性をもたらす可能性があることを示した。有望なことに,垂直ヘテロ構造(VHT)を作製するためにSnSとSnS_2を積層することが可能である。バンド解析によると,全体の原子価と伝導帯はそれぞれSnXとSnX_2からであることが分かった。二つの単分子層間の弱い相互作用のために,光学ギャップは,対応する孤立したものと比較して,二つの単分子層においてわずかに減少することができた。したがって,VHTは水分解用の光触媒の2つの一次条件を満たし,SnX_2中のSnXとO_2中のH_2を発生させる。2つの層の間の強い電気陰性度の差は,SnSとSnS_2層の間の有効な電位勾配を発達させ,それらの間の有効な電場を引き起こす。したがって,それは迅速な電荷分離と層間電荷移動のために有益である。光捕集の高効率を実現し,光触媒効率を改善した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機化合物一般及び元素 

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