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J-GLOBAL ID:201902219412524097   整理番号:19A2093180

デュアルゲートモノリシック双方向GaN E-FETを用いた新しい三相二次変調バックブースト電流源インバータシステム【JST・京大機械翻訳】

Novel Three-Phase Two-Third-Modulated Buck-Boost Current Source Inverter System Employing Dual-Gate Monolithic Bidirectional GaN e-FETs
著者 (6件):
資料名:
巻: 2019  号: PEDG  ページ: 674-683  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二重ゲート(2G)モノリシック双方向(MB)窒化ガリウム(GaN)増強モード電界効果トランジスタ(e-FET)の前例のない特性は,例えば電力変換効率,電力密度,コストおよび複雑さに関して,電流DCリンクインバータの潜在的性能ブレークスルーを可能にする。実際に,単一の2G MB GaN E-FETは,この回路トポロジーで必要とされる4象限(AC)スイッチを実現するために,2つの直列接続の従来の電力半導体を便利に置き換えて,性能を上回ることができる。さらに,可変DCリンク電流制御戦略を,DCリンク電流印加バック型DC/DC入力ステージと,それに続くブースト型3Φ電流DCリンクインバータ出力ステージから成る三相(3-Φ)バックブースト(bB)電流源インバータ(CSI)システムに適用し,発生損失を大幅に低減した。提案した戦略は,系統的制御構造によって入力段階でDCリンク電流を適切に成形することにより,出力段の3つの相のうちの2つだけを切り替えることによって望ましい3-Φ正弦波負荷電流を発生させることができる。3-ΦbB CSIシステムの回路シミュレーションにより,解析した概念の説明を支援し,損失の関連する低減を確認し,解析的表現を導いた。最後に,新しい2G MB GaN E-FET研究サンプルの動作を,ハードウェアプロトタイプで検証し,記述した電力変換器の実用的実現に向けて第一段階を取った。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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