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J-GLOBAL ID：201902219525895352   整理番号：19S1253112

A simplified boron diffusion for preparing the silicon single crystal p-n junction as an educational device

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著者 (6件)：
Shiota, Koki

Shiota, Koki について

(National Institute of Technology, Kagawa College)

National Institute of Technology, Kagawa College について

, 
Kai, Kazuho

Kai, Kazuho について

(National Institute of Technology, Kagawa College)

National Institute of Technology, Kagawa College について

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Nagaoka, Shiro

Nagaoka, Shiro について

(National Institute of Technology, Kagawa College)

National Institute of Technology, Kagawa College について

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Tsuji, Takuto

Tsuji, Takuto について

(National Institute of Technology, Suzuka College, Mie)

National Institute of Technology, Suzuka College, Mie について

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Wakahara, Akihiro

Wakahara, Akihiro について

(Toyohashi University of Technology, Aichi)

Toyohashi University of Technology, Aichi について

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Rusop, Mohamad

Rusop, Mohamad について

(University Technology Mara)

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資料名：
AIP Conference Proceedings

AIP Conference Proceedings について


巻： 1733  発行年： 2016年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0094-243X  ISBN： 9780735413849 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)

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