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J-GLOBAL ID：201902219567506844   整理番号：19S1445966

Orientation and size effects on ballistic electron transport properties in gate-all-around rectangular germanium nanowire FETs

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著者 (4件)：
Mori, Seigo

Mori, Seigo について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University について

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Morioka, Naoya

Morioka, Naoya について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University について

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Suda, Jun

Suda, Jun について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University について

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Kimoto, Tsunenobu

Kimoto, Tsunenobu について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University について


資料名：
2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012

2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012 について


発行年： 2012年 
JST資料番号： SCOPUS  ISBN： 9781467309943 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)

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