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J-GLOBAL ID：201902219604731713   整理番号：19A1416396

Cu_2zn_4における点欠陥濃度の計算:高温平衡と消光への洞察【JST・京大機械翻訳】

Calculation of point defect concentration in Cu₂ZnSnS₄: Insights into the high-temperature equilibrium and quenching

著者 (5件)： Kosyak V. (Department of Engineering Sciences, Solid State Electronics, Ångstrom Solar Center, Box 534, 751 21 Uppsala, Sweden) ,  Postnikov A. V. (LCP-A2MC, Institut Jean Barriol, University of Lorraine, ICPM, 1 Bd Arago, Metz F-57078, France) ,  Scragg J. (Department of Engineering Sciences, Solid State Electronics, Ångstrom Solar Center, Box 534, 751 21 Uppsala, Sweden) ,  Scarpulla M. A. (Materials Science and Engineering, University of Utah, Salt Lake City, Utah 84112, USA) ,  Platzer-Bjorkman C. (Department of Engineering Sciences, Solid State Electronics, Ångstrom Solar Center, Box 534, 751 21 Uppsala, Sweden)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 3  ページ： 035707-035707-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,統計的熱力学モデルを適用することにより,Cu_2ZnSnS_4(CZTS)における固有点欠陥平衡を研究した。高温でのCZTSの安定な化学ポテンシャル空間(SCPS)を,成分の化学ポテンシャルの異なる組合せに対して計算した化学量論からの偏差に基づいて直接推定した。著者らは,SCPSが,他の錯体および孤立欠陥よりも優勢な,高濃度のV_Cu--Zn_Cu+錯体により,狭いことを示した。CZTSは,化学量論的およびCu欠乏/Znリッチ組成の両方に対してp型伝導性を有することが分かった。この理由は,多くのドナー様Zn_Cu+アンチサイトが,Cu_Zn-Zn_Cu+錯体の形成に含まれ,Cu_Zn-を支配し,Cu欠乏/Znリッチ組成に対してさえp型伝導性を与えることである。しかし,著者らの計算は,正孔濃度が,ほぼ一定の濃度の支配的な荷電欠陥により,単相CZTSの組成領域内の化学組成の変化にほとんど影響されないことを明らかにした。完全平衡とクエンチングに対する計算は,正孔濃度がアニーリング温度に強く依存し,急激な冷却後に実質的に減少することを示した。これは,アニーリング温度とポストアニーリング冷却速度の正確な制御がCZTSの電気的性質を調整するために重要であることを意味する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 錯体 ,  冷却速度 ,  化学組成 ,  化学ポテンシャル ,  化学量論 ,  *点欠陥 ,  単相 ,  クエンチ ,  ドナー ,  *高温
準シソーラス用語： ポストアニーリング ,  アニーリング温度 ,  荷電欠陥 ,  正孔濃度 ,  CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 点欠陥 ,  計算 ,  平衡 ,  消光 ,  洞察