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J-GLOBAL ID：201902219619636218   整理番号：19A2365384

化学蒸着による10nm直径van der Waals Tase_3ナノワイヤの低抵抗率と高破壊電流密度【JST・京大機械翻訳】

Low Resistivity and High Breakdown Current Density of 10 nm Diameter van der Waals TaSe₃ Nanowires by Chemical Vapor Deposition

著者 (12件)： Empante Thomas A. (Department of Chemistry and Material Science & Engineering Program, University of California-Riverside, California, United States) ,  Martinez Aimee (Department of Chemistry and Material Science & Engineering Program, University of California-Riverside, California, United States) ,  Wurch Michelle (Department of Chemistry and Material Science & Engineering Program, University of California-Riverside, California, United States) ,  Zhu Yanbing (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Geremew Adane K. (Nano-Device Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, California, United States) ,  Yamaguchi Koichi (Department of Chemistry and Material Science & Engineering Program, University of California-Riverside, California, United States) ,  Isarraraz Miguel (Department of Chemistry and Material Science & Engineering Program, University of California-Riverside, California, United States) ,  Rumyantsev Sergey (Nano-Device Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, California, United States) ,  Rumyantsev Sergey (Center for Terahertz Research and Applications, Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Poland) ,  Reed Evan J. (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Balandin Alexander A. (Nano-Device Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, California, United States) ,  Bartels Ludwig (Department of Chemistry and Material Science & Engineering Program, University of California-Riverside, California, United States)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 19  号： 7  ページ： 4355-4361  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属TASE_3のミクロンスケール単結晶ナノワイヤ,管状van der Waals(vdW)ギャップにより互いに分離されたTa-Se_3-Ta_3積層を形成する材料を,半導体産業要件と両立するプロセスにおいて,SiO_2/Si基板上に化学蒸着(CVD)を用いて合成した。それらの電気抵抗率は,ナノワイヤの幅と高さにおいてバルクから7nmまでのダウンスケーリングによって影響されず,同じ寸法に対する銅の抵抗率と著しく対照的であることが分かった。TASE_3のバルク抵抗率はバルク銅のそれよりも実質的に高いが,ナノメートルスケールではTASE_3ワイヤは類似サイズの銅と競合する。さらに,vdW TASE_3ナノワイヤは10~8A/cm2以上の電流密度を維持し,銅の2倍のエレクトロマイグレーションエネルギー障壁を特徴とすることを見出した。これらの結果は,電子相互接続応用に対する準一次元遷移金属三ハロゲン化物の有望性とダウンスケールエレクトロニクスに対するvan der Waals材料の可能性を強調した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *電流密度 ,  電気抵抗率 ,  *金属線 ,  半導体工業 ,  相互接続 ,  電子技術 ,  単結晶 ,  *ナノワイヤ ,  エレクトロマイグレーション ,  銅
準シソーラス用語： 準一次元 ,  エネルギー障壁 ,  ダウンスケーリング ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  非金属元素とその化合物の結晶構造  (BK07010N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学蒸着 ,  直径 ,  VAN ,  ナノワイヤ ,  低抵抗 ,  破壊 ,  電流密度