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J-GLOBAL ID：201902219735836729   整理番号：19A1064168

純粋および照射したTaAs_2における磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Magneto-resistance in pristine and irradiated TaAs₂

著者 (6件)： Harimohan V. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Homi Bhabha National Institute, Kalpakkam 603102, India) ,  Bharathi A. (UGC DAE Consortium for Scientific Research, Kalpakkam Node, Kokilamedu 603104, India) ,  Rajaraman R. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Homi Bhabha National Institute, Kalpakkam 603102, India) ,  Magudapathy P. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Homi Bhabha National Institute, Kalpakkam 603102, India) ,  David C. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Homi Bhabha National Institute, Kalpakkam 603102, India) ,  Sundar C. S. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Homi Bhabha National Institute, Kalpakkam 603102, India)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 4  ページ： 045020-045020-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,半金属TAAs_2の室温から14Tの磁場までの磁気輸送および磁化測定の単結晶合成,キャラクタリゼーションおよび系統的研究について報告する。未処理および照射試料における磁気輸送に関する実験により,抵抗率測定における温度挙動の変化は,金属絶縁体転移により生じるよりも,Kohler則に基づいてより良く解析されると推論した。TAAs_2における負の縦磁気抵抗の不在は,元の試料と照射試料の両方に関する注意深い測定によって確認された。低エネルギーイオン照射は,de Haas van Alphen振動の抑制に反映される表面状態を変化させた。Hall解析は,このクラスの材料の磁気輸送における多重キャリア,電子および正孔の役割を再確認した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半金属 ,  磁場 ,  電気抵抗率 ,  *磁気抵抗 ,  キャラクタリゼーション ,  正孔 ,  磁化特性測定 ,  単結晶 ,  金属-絶縁体転移
準シソーラス用語： マルチキャリア ,  低エネルギーイオン ,  磁気輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (1件)： 磁気抵抗