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J-GLOBAL ID:201902219744681745   整理番号:19A1624063

M_2(WO_4)_3|WO_3(M=Sm,Gd)相間境界上の輸送過程【JST・京大機械翻訳】

Transport Processes on the M2(WO4)3|WO3 (M = Sm, Gd) Interphase Boundary
著者 (5件):
資料名:
巻: 93  号:ページ: 555-560  発行年: 2019年 
JST資料番号: W3973A  ISSN: 0036-0244  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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電場中のM_2(WO_4)_3(M=Sm,Gd)結晶粒界による酸化タングステンの分布に関する新しいデータを得た。酸化タングステンがアニオン型([数式:原文を参照])中で移動し,二相複合体(1-φ)M_2(WO_4)_3-φWO_3(φは複合材料中のWO_3の体積率;M=Sm,Gd)の形成をもたらすことを確立した。SEM-EDX研究は,酸化タングステンとの複合材料におけるサマリウムとガドリニウムタングステン酸塩のかなりの濃縮を明らかにした。結論として,仮想組成Sm_2W_6O_21(Gd_2W_6O_21)の表面ミクロ相がM_2(WO_4)_3WO_3界面上に形成された。0.87Sm_2(WO_4)_3-0.13WO_3複合材料の電気輸送特性の研究は,それがSm_2(WO_4)_3のものより一桁高い酸素イオン伝導率を有することを示した。高導電性相の非自律性表面の膜が結合マトリックスとして作用するMaxwell型結合分散系の形成モデル内で,イオン伝導率を上げる複合効果を検討した。Copyright 2019 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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著者キーワード (3件):
分類 (2件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  セラミック・磁器の性質 
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