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J-GLOBAL ID：201902219749785508   整理番号：19A2088316

Janus単分子層とそれらのvan der Waalsヘテロ構造のオプトエレクトロニクスと太陽電池への応用【JST・京大機械翻訳】

Optoelectronic and solar cell applications of Janus monolayers and their van der Waals heterostructures

著者 (8件)： Idrees M. (Department of Physics, Hazara University, Mansehra 21300, Pakistan) ,  Din H. U. ,  Ali R. ,  Rehman G. ,  Hussain T. ,  Nguyen C. V. ,  Ahmad Iftikhar ,  Amin B.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 21  号： 34  ページ： 18612-18621  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Janus単分子層とそれらのvan der Waalsヘテロ構造をハイブリッド密度汎関数理論計算により調べた。MoSSe,WSSe,MoSeTe及びWSeTeは直接バンドギャップ半導体であることが分かった。外部電場を用いて間接MoSTeとWSTeを直接バンドギャップ半導体に変換した。MoSSe-WSSe,MoSeTe-WSeTeおよびMoSTe-WSTe vdWヘテロ構造は,II型バンド配列をもつ間接バンドギャップ半導体でもある。対応する単分子層と同様に,上記のvdWヘテロ構造のいくつかにおいて,外部電場と引張歪は間接的なバンドギャップを間接的に変換することができるが,タイプIIバンドアラインメントを維持することができる。Janus単分子層はそれらのvdWヘテロ構造対応物よりも仕事関数(φ)の値が低かった。さらに,吸収スペクトル,吸収効率および価電子(伝導)バンド端ポテンシャルを計算し,これらの系の光学的および光触媒的挙動を理解した。Janus単分子層に誘起された歪により励起子ピークの位置に赤と青方偏移が観測された。可視,赤外及び紫外領域におけるWSeTe,MoSTe及びWSTe単分子層に対して強い素子吸収効率(80~90%)を観測した。Janus単分子層におけるエネルギー的に有利なバンド端位置は,ゼロpHでの水分解に適している。MoSSe-WSSeヘテロ構造とMoSTe単分子層は,酸化還元間隔の外側に位置する伝導と価電子バンド端を持つ水分解の有望な候補であることを見出した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  光触媒 ,  *太陽電池 ,  *単分子層 ,  *オプトエレクトロニクス ,  価電子 ,  赤外線 ,  バンドギャップ ,  価電子バンド ,  励起子
準シソーラス用語： 水分解 ,  バンド端 ,  *ヘテロ構造 ,  外部電場 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単分子層 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  太陽電池 ,  応用