ハロゲン化鉛ペロブスカイトバンドギャップの温度依存性における熱膨張とElectron-フォノン相互作用の等しい基礎【JST・京大機械翻訳】

Francisco-Lopez Adrian; Charles Bethan; Weber Oliver J.; Alonso M. Isabel; Garriga Miquel; Campoy-Quiles Mariano; Weller Mark T.; Goni Alejandro R.; Goni Alejandro R.

文献

J-GLOBAL ID：201902219758282589 整理番号：19A2369393

ハロゲン化鉛ペロブスカイトバンドギャップの温度依存性における熱膨張とElectron-フォノン相互作用の等しい基礎【JST・京大機械翻訳】

Equal Footing of Thermal Expansion and Electron-Phonon Interaction in the Temperature Dependence of Lead Halide Perovskite Band Gaps

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資料名：
巻： 10 号： 11 ページ： 2971-2977 発行年： 2019年
JST資料番号： W3687A ISSN： 1948-7185 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

光起電力におけるパラダイムムシフトを引き起こすハロゲン化鉛ペロブスカイトは,基本ギャップの非典型的な温度依存性を示す。それは,温度の低下とともにエネルギーが減少する。熱膨張からの寄与を無視して,ギャップの強い電子-フォノンくりこみに対するこのような挙動を報告した。しかしながら,典型的なペロブスカイトMAPbI_3(メチルアンモニウムに対するMAスタンド)について行った高圧実験は,正方晶の室温相のギャップに対して負の圧力係数をもたらし,これは無視できる熱膨張効果の仮定に反している。ここでは,MAPbI_3に対して,電子-フォノン相互作用による温度誘起ギャップくりこみが全エネルギーシフトの約40%を説明できることを示した。従って,熱膨張は電子-フォノン結合として重要ではないことを意味している。さらに,この結果は,ほとんどのハロゲン化物ペロブスカイト対応物の周囲条件で安定な正方晶または立方晶相に対しても,一般的な妥当性を有している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , 太陽電池

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