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J-GLOBAL ID：201902219868248060   整理番号：19A2093039

Ge_1-xSn_xおよびGe_1-xPb_x合金における電子構造発展の比較解析【JST・京大機械翻訳】

Comparative analysis of electronic structure evolution in Ge_1-xSn_x and Ge_1-xPb_x alloys

著者 (3件)： Broderick Christopher A. (Lee Maltings, Dyke Parade, Tyndall National Institute, Cork, T12 R5CP, Ireland) ,  O’Halloran Edmond J. (Lee Maltings, Dyke Parade, Tyndall National Institute, Cork, T12 R5CP, Ireland) ,  O’Reilly Eoin P. (Lee Maltings, Dyke Parade, Tyndall National Institute, Cork, T12 R5CP, Ireland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： NUSOD  ページ： 117-118  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge_1-x(Sn,Pb)_xグループIV半導体合金における電子構造発展と間接から直接ギャップへの遷移の比較解析を示した。Ge_1-x(Sn,Pb)_x特別な準ランダム構造に対する第一原理不規則合金電子構造計算を示し,固定xにおけるGe_1-xSn_xよりもGe_1-xPb_xにおける著しく大きなバンドギャップ減少を見出した。Ge_1-xPb_xは組成(x7%)に近い直接ギャップ半導体になり,それがゼロギャップ半導体になることを計算した。Ge_1-xSn_xにおける間接から直接ギャップへの遷移は,拡張組成範囲で起こり,7%を中心とし,GeΓとL伝導状態のSn誘起混合により駆動される。Ge_1-xSn_x合金に存在する顕著なバンド混合効果は,光学的および輸送特性に対して重要な意味を持つであろう。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 第一原理 ,  半導体 ,  不規則合金 ,  *ゲルマニウム ,  *スズ ,  *合金 ,  バンドギャップ ,  *電子構造
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  ゼロギャップ半導体 ,  電子構造計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 合金 ,  電子構造 ,  発展 ,  解析