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J-GLOBAL ID：201902219967866802   整理番号：19A2043336

AlGaN/GaNナノワイヤチャネル高Electron移動度トランジスタの温度依存特性【JST・京大機械翻訳】

Temperature-Dependent Characteristics of AlGaN/GaN Nanowire Channel High Electron Mobility Transistors

著者 (11件)： He Yunlong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 710071, People’s Republic of China) ,  Huang Zeyang (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 710071, People’s Republic of China) ,  Zhang Meng (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Wu Mei (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 710071, People’s Republic of China) ,  Mi Minhan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 710071, People’s Republic of China) ,  Wang Chong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 710071, People’s Republic of China) ,  Yang Ling (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Zhang Chunfu (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 710071, People’s Republic of China) ,  Guo Lixin (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, 710071, People’s Republic of China) ,  Ma Xiaohua (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 710071, People’s Republic of China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 710071, People’s Republic of China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 16  ページ： e1900396  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,異なるチャネル幅を持つ3つのAlGaN/GaNナノワイヤチャネル高電子移動度トランジスタ(NC-HEMT)を作製した。NC-HEMTの温度依存特性を研究し,従来のHEMTと比較した。結果は,NC-HEMTのオン状態電流密度がより弱い温度依存性を持ち,NC-HEMTの閾値電圧変化がより低いことを示した。さらに,NC-HEMTのドレイン誘起障壁低下の温度特性を初めて報告した。さらに,異なるゲート電圧バイアスに対応するNC-HEMT,フォノン散乱およびCoulomb散乱の相互コンダクタンス特性に影響する二つの主な散乱機構が存在する。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流密度 ,  *トランジスタ ,  HEMT ,  バイアス ,  *チャネル ,  *温度依存性 ,  *ナノワイヤ ,  コンダクタンス ,  Coulomb散乱 ,  *移動度
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  ゲート電圧 ,  閾値電圧 ,  オン状態 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ナノワイヤチャネル ,  温度依存特性 ,  コンダクタンス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  チャネル ,  移動度 ,  トランジスタ ,  温度依存