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J-GLOBAL ID:201902220082057760   整理番号:19A2299171

ゼロ価Ru(DMBD)(CO)_3と水を用いたルテニウム金属の自己触媒低温原子層堆積【JST・京大機械翻訳】

Self-Catalyzed, Low-Temperature Atomic Layer Deposition of Ruthenium Metal Using Zero-Valent Ru(DMBD)(CO)3 and Water
著者 (10件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 1304-1317  発行年: 2019年 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ルテニウム(Ru)膜を原子層堆積(ALD)を用いて堆積し,自己触媒反応機構により促進した。ゼロ価のη4-2,3-ジメチルブタジエンRu-(DMBD)-(CO)_3とH_2Oを用いて,Ru膜を0.1nm/サイクルの速度で蒸着した。定常堆積の温度は160~210°Cの間にある。X線回折,高分解能透過型電子顕微鏡,X線光電子分光法により膜構造と組成を確認した。10nmのRu膜の室温電気抵抗率は39μΩcmであることが分かった。その場四重極質量分析と密度汎関数理論を用いてALD表面反応を理解した。配位子,ジメチルブタジエンは表面上で解離的に脱着した。一方,カルボニル配位子はRu中心により触媒される。これは水性ガスシフト反応をもたらし,CO_2とH_2を形成する。堆積温度の変調はこれら二つの配位子解離反応に影響する。これは核形成,成長,したがってRu膜の性質に影響する。自己触媒反応は温和な共反応物を有する低温ALDの経路を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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電気化学反応  ,  貴金属触媒 

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