文献
J-GLOBAL ID:201902220084999525   整理番号:19A0973558

ハロゲン化物ペロブスカイト単結晶薄膜の最近の進歩:作製法とオプトエレクトロニクス応用【JST・京大機械翻訳】

Recent Advances in Halide Perovskite Single-Crystal Thin Films: Fabrication Methods and Optoelectronic Applications
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: e1800294  発行年: 2019年 
JST資料番号: W3682A  ISSN: 2367-198X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
金属-ハロゲン化物ペロブスカイトは,太陽電池,発光ダイオード,光検出器,レーザなどの様々なオプトエレクトロニクス分野における応用の有望な候補となる,それらの多数の顕著なオプトエレクトロニクス特性により,科学的コミュニティにおいて強い関心を喚起している。ペロブスカイト多結晶膜およびナノ結晶と比較して,結晶粒界を含まない単結晶ペロブスカイトは,より低いトラップ状態密度,より高いキャリア移動度およびより長い拡散長を有し,優れた光電子性能を提供すると考えられる。しかし,典型的なバルク単結晶ペロブスカイトの厚さ(数ミリメートル)はそれらのキャリア拡散長(例えばMAPbI_3SC,≒175μm)よりはるかに大きく,それは激しい電荷蓄積をもたらし,それらの発達を著しく妨げる。この目的のために,単結晶薄膜の作製は,種々の応用における単結晶ペロブスカイトの可能性をさらに探究するために非常に重要である。本論文では,ペロブスカイト単結晶薄膜の作製法における迅速で迅速な開発を系統的に要約し,単結晶薄膜の光電子応用(太陽電池,光検出器,発光ダイオード)と同様に,それらの物理的および化学的性質における最近の有望な進歩をレビューした。最後に,ペロブスカイト単結晶薄膜の品質をさらに改善し,デバイス設計を最適化するための挑戦と簡単な展望を強調した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る