文献

J-GLOBAL ID：201902220138094515   整理番号：19A0127645

界面双極子変調のためのHfO_2/SiO_2スタック構造の低温調製【JST・京大機械翻訳】

Low temperature preparation of HfO₂/SiO₂ stack structure for interface dipole modulation

著者 (1件)： Miyata Noriyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 25  ページ： 251601-251601-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,約300°Cの低温アニーリング過程を用いて作製したHfO_2/1単分子層TiO_2/SiO_2積層構造に対して,安定な界面双極子変調(IDM)が可能であることを見出した。IDM特性に及ぼす熱アニーリングの影響を詳細に調べた。200°C以下のポストメタライゼーションアニーリング(PMA)によって作製した試料さえもスイッチングを示し,それらの幅はPMA温度が300°Cを超えるまで増加した。この温度依存性は,熱アニーリングによって引き起こされた界面Ti酸化物のサブ酸化物成分の減少と良い相関を示し,HfO_2/SiO_2界面でのTi-O結合の形成がIDMに寄与することを示唆した。本研究で観察した実験結果は,Ti-O結合破壊/修復過程に基づくIDM機構を支持した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 積層構造 ,  酸化物 ,  *低温 ,  *界面 ,  焼なまし ,  酸化チタン ,  温度依存性 ,  単分子層
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  *一酸化ケイ素 ,  *界面双極子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面双極子 ,  変調 ,  スタック ,  低温 ,  調製