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J-GLOBAL ID:201902220245603708   整理番号:19A0513107

非毒性InP量子ドットからなるハイブリッドナノ構造空洞InGaN/GaN発光ダイオードの増強された色変換効率【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Color-Conversion Efficiency of Hybrid Nanostructured-Cavities InGaN/GaN Light-Emitting Diodes Consisting of Nontoxic InP Quantum Dots
著者 (9件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: ROMBUNNO.2000607.1-7  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0734A  ISSN: 1077-260X  CODEN: IJSQEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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カドミウムを含まないコロイド量子ドット(QD)によるハイブリッド発光ダイオード(LED)の色変換効率増強と新しい選択領域ナノキャビティ構造を実証した。ナノインプリンティングとフォトリソグラフィー技術を組み合わせて,ナノ空洞アレイをLED上の指定された位置で作製することができた。選択領域ナノキャビティLEDの色変換効率は13%まで増強できた。顕著な色変換効率増強は,ナノ共振器におけるInP QD発光の共鳴とLED活性層からInP QDへの無放射エネルギー移動に起因し,これを有限分域時間領域シミュレーション,エレクトロルミネセンス,時間分解光ルミネセンス測定により調べ,特性化した。したがって,このハイブリッドナノ構造デバイスは,多色照明光源とマイクロLEDの応用に対して大きな可能性を示す。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
発光素子  ,  半導体薄膜 

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