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J-GLOBAL ID：201902220325139005   整理番号：19A1408744

ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホナートの層間挿入は有機四元記憶を可能にする【JST・京大機械翻訳】

Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-Poly(styrenesulfonate) Interlayer Insertion Enables Organic Quaternary Memory

著者 (9件)： Cheng Xue-Feng (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China) ,  Hou Xiang (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China) ,  Qian Wen-Hu (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China) ,  He Jing-Hui (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China) ,  Xu Qing-Feng (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China) ,  Li Hua (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China) ,  Li Na-Jun (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China) ,  Chen Dong-Yun (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China) ,  Lu Jian-Mei (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, People’s Republic of China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 33  ページ： 27847-27852  発行年： 2017年08月23日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,初めて,有機分子に基づく第四抵抗メモリを表面エンジニアリングにより達成した。ITO/PEDOT-PSS/SA-Bu/Alアーキテクチャを形成するために,酸化インジウムスズ(ITO)電極と有機層(スクアライン,SA-Bu)の間にポリ-(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ-(スチレンスルホナート(PEDOT-PSS)の層を挿入した。修正抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)デバイスは,今日まで最高の収率(~41%)で四次メモリスイッチングを達成した。堆積した有機結晶粒の表面形態,結晶性,およびモザイク性はPEDOT-PSS中間層の挿入後に大きく改善され,それは結晶粒界および電極/活性層界面におけるより良い接触を提供する。PEDOT-PSS中間層は電極から活性層への正孔注入障壁も減少させた。従って,各スイッチングのしきい値電圧は大幅に低減され,ある電圧窓におけるより四次スイッチングを可能にした。著者らの結果は,有機四元抵抗メモリを達成するための分子設計の代替として,簡単ではあるが強力な戦略を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  活性層 ,  結晶粒界 ,  計算機アーキテクチャ ,  *スイッチング ,  界面 ,  酸化インジウムスズ ,  有機化合物
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  正孔注入 ,  中間層 ,  表面形態 ,  ReRAM ,  有機層 ,  抵抗メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 四元記憶 ,  PEDOT-PSS ,  界面工学 ,  RRAM ,  有機物

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (1件)： 層間挿入