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J-GLOBAL ID：201902220386765401   整理番号：19A1873374

GaNのハロゲン化物気相エピタキシーに利用されるScAlMgO₄基板の再利用

Reuse of ScAlMgO₄ substrates utilized for halide vapor phase epitaxy of GaN

著者 (9件)： OHNISHI Kazuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUBOYA Shigeyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIKAWA Tomoyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IWABUCHI Takuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMAMURA Kazuya (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HASUIKE Noriyuki (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HARIMA Hiroshi (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  FUKUDA Tsuguo (Fukuda Crystal Lab., Sendai, JPN) ,  MATSUOKA Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SC  ページ： SC1023.1-SC1023.5  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *気相成長 ,  ハロゲン化物 ,  酸化物 ,  マグネシウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  スカンジウム化合物 ,  *基板 ,  ウエハ【IC】 ,  転位密度
準シソーラス用語： 貫通転位密度 ,  気相エピタクシー

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (33件)：

• S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
• W. Saito, Y. Takeda, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, and H. Ohashi, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2528 (2003).
• A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
• M. K. Kerry, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, L. Görgens, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L217 (1999).
• Y. Oshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa, K. Kobayashi, T. Ishibashi, and A. Usui, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1 (2003).

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  ハロゲン化物 ,  気相エピタキシー