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J-GLOBAL ID：201902220695771659   整理番号：19A2250410

PVDF/CaCu(3-x)MgxTi4O12複合材料の調製および誘電特性【JST・京大機械翻訳】

Preparation and Dielectric Properties of PVDF/CaCu(3-x)MgxTi4O12 Composite

著者 (7件)： Du Yue (西安科技大学化学与化工学院,西安,710054) ,  Cai Huiwu (西安科技大学化学与化工学院,西安,710054) ,  Wang Xingxing (西安科技大学化学与化工学院,西安,710054) ,  Shi Kai (西安科技大学化学与化工学院,西安,710054) ,  Chen Shouli (西安科技大学化学与化工学院,西安,710054) ,  Tian Ke (西安科技大学化学与化工学院,西安,710054) ,  Liu Shengnan (西安科技大学化学与化工学院,西安,710054)
資料名： Gongcheng Suliao Yingyong  (Gongcheng Suliao Yingyong)
巻： 47  号： 8  ページ： 16-22  発行年： 2019年 
JST資料番号： C2099A  ISSN： 1001-3539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法によりCaCu3Ti4O12(CCTO),CaCu(3-x)MgxTi4O12(CCMTO,x=0.02,0.1,0.2)セラミック粒子を調製し,ポリフッ化ビニリデン(PVDF)をマトリックスとした。PVDF/CCMTO複合材料を,機械的混合ホットプレスによって調製した。PVDF/CCMTO複合材料の誘電特性,破壊電圧,貯蔵密度に及ぼすCCMTOのか焼温度とMg2+ドーピング量の影響,およびPVDF/CCTO複合材料の引張強さに及ぼすCCTO充填量の影響を研究した。結果は,か焼温度が700°Cであるとき,セラミック粒子の粒径が狭く,分布が狭く,複合材料の誘電特性が良好で,Mg2+のドーピングがCCTOセラミック粒子の結晶粒サイズを増大し,x=0.1のとき,複合材料の誘電率は96に到達でき,誘電損失は0であることを示した。PVDF/CCMTOの貯蔵密度は1.284J/cm3に達し,PVDF/CCTOの貯蔵密度が1倍増加したとき,21(充填物含有量60%,常温,100Hz)で,PVDF/CCMTOの貯蔵密度は1.284J/cm3に達した。破壊電圧は,同じ充填量でほとんど差がなかった。PVDF/CCMTOと比較して,PVDF/CCTOの誘電率は71%増加し,誘電損失はほとんど変化せず,Mg2+のドーピングはPVDF/CCTO複合材料の誘電特性を著しく改善した。CCTO充填量が50%のとき,複合材料が凝集し,PVDF/CCTO複合材料の引張強さはCCTO充填量の増加とともに減少した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ポリフッ化ビニリデン ,  ドーピング ,  ホットプレス ,  誘電率 ,  ゾル-ゲル法 ,  引張強さ ,  誘電損失 ,  結晶粒径 ,  *誘電性 ,  粒径 ,  *複合材料
準シソーラス用語： 充填量 ,  か焼温度 ,  絶縁破壊電圧 ,  セラミック粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 機械的性質  (YH02022L)

タイトルに関連する用語 (4件)： PVDF ,  複合材料 ,  調製 ,  誘電特性